免费国产成人在线视频_日韩国产成人无码A∨毛片_r级无码福利电影在线观看_国产剧情中文字幕_小呦泬泬在线观看_亚洲国产av大片_日本不卡免费一区_暖暖日本视频在线_欧美高清俄罗斯极品_高清无码影视久久

上海膜林

致力于提供世界最優(yōu)秀的膜厚控制方案,讓鍍膜簡單起來

上海膜林
首頁 產(chǎn)品中心 晶控技術(shù) 資料下載 聯(lián)系我們

晶控初步

基本操作

探頭檢測

晶控初步

問:晶控儀是什么

晶控儀(石英晶體膜厚控制儀)是真空鍍膜常用的在線速率和厚度監(jiān)控儀器,具有厚度線性好,精度高等特點,已經(jīng)成為真空蒸發(fā)鍍膜的標準配置;相對穩(wěn)定的濺射鍍膜和其它類型鍍膜,只要對膜厚有精度和重復要求,也越來越重視用晶控儀來保證最終的膜厚。

在真空鍍膜系統(tǒng)中,晶控儀可以獨立作為沉積速率和厚度控制器或監(jiān)視器,自動完成鍍制一系列的膜層。也可以配合計算機監(jiān)控軟件,完成更復雜的系統(tǒng)控制。

問:晶控儀的核心是什么?
  • 晶控儀的核心是快速、準確、穩(wěn)定的測量晶振片的諧振頻率。它的其他功能都是圍繞真空鍍膜的工藝來的,是由石英晶體頻率測量而擴展出來的專用儀器。
  • 問:晶振片是什么

    晶振片為AT切割石英晶體圓形薄片,厚度由標稱頻率決定;國內(nèi)常用的6MHz晶振片厚度約0.28mm,直徑14mm。晶振片的兩個表面均鍍有電極,一面為雙錨圖案,一面鍍滿,也有兩面都鍍滿,電極材料有金、銀、以及銀鋁合金。滿鍍面朝向探頭開口,接受材料沉積。由于表面沉積膜料,晶振片的性能會發(fā)生變化,所以需要經(jīng)常更換。

    問:晶控儀如何測量沉積速率?

    晶控儀按一定時間間隔周期性檢測晶振片頻率,并將頻率變化按照預設(shè)的材料參數(shù)換算成材料厚度,厚度與時間的比值就是該材料的沉積速率。

    問:晶控系統(tǒng)組成
    晶控系統(tǒng)包含晶控儀主機、振蕩包以及探頭。探頭的作用是固定晶振片(石英晶體諧振片),并提供冷卻和引出晶振片的兩個電極至振蕩包。振蕩包在真空室外就近連接探頭,是測量頻率的核心部件,可以看成主機的延伸部分。主機負責各類外部接口,包括人機界面,控制接口等。

    問:鍍膜用戶如何快速上手膜林晶控儀?

    如果是某些計算機控制系統(tǒng)用戶,可以不操作晶控儀,甚至平時不用看晶控儀。

    膜林晶控儀是中文觸摸屏,由幾個頁面組成。主要有[沉積]、[菜單]、[材料]、[膜系]、[運行參數(shù)]、[配置參數(shù)]、[探頭與接口]。

    [配置參數(shù)]配置晶控儀,例如蒸發(fā)源擋板開關(guān)連接到哪個端口,怎么驅(qū)動坩堝及連接端口位置等。晶控儀安裝時使用一次,正常鍍膜無需使用。

    [運行參數(shù)]主要用于檢查成膜記錄,選擇待沉積膜系。而選擇待沉積膜系,在MXC-3B膜厚儀中,也可以在[膜系]頁面完成。正常鍍膜可不使用。

    [探頭與接口]詳細顯示當前晶振片的振蕩頻率、阻力損耗,以及輸入輸出接口狀態(tài)。供核查探頭和接口情況,正常鍍膜無需使用。

    [沉積]頁面,開始、停止鍍膜界面。運行后動態(tài)顯示鍍膜的主要狀態(tài),開機后自動進入。

    [菜單]頁面,中轉(zhuǎn)頁面,僅起導航作用,界面簡單。

    [材料]頁面,包含材料的基本參數(shù),材料名、材料密度和聲阻抗率。包含更多的是工藝參數(shù),所在蒸發(fā)源及擋板情況,材料的預熔功率和時間,是否自動控制功率,預期沉積速率和PID功率控制參數(shù)等。膜林晶控儀里,[材料]參數(shù)多,略顯復雜,但隨后會知道,這個復雜是值得的。正常鍍膜時不需要使用。

    [膜系]頁面,包含[膜系總體]頁面和[膜層]設(shè)定頁面。MXC-3B晶控儀,先進入的是[膜系列表]頁面,由膜系列表進入膜系總體頁面。正常鍍膜前,對于已輸入好的膜系,只需選擇一次(或在[運行參數(shù)]頁選擇),然后無需再進入。

    [膜層]頁面,[膜系]的子頁面,每層膜,只需填寫材料庫號、沉積厚度、坩堝號三個參數(shù)。添加新膜層時,自動隔層拷貝前面的膜層,例如,當前已有2層膜,添加新膜層時,將自動拷貝膜層1的參數(shù)作為新膜層3的基礎(chǔ)參數(shù)。這一點對于手動輸入膜系時,相對其他品牌晶控儀,有巨大的速度優(yōu)勢。

    膜林晶控儀有哪些優(yōu)勢?

    某資深鍍膜用戶總結(jié)的好,膜林晶控儀帶有工藝特質(zhì),成膜過程更平穩(wěn)、結(jié)果更準確。

    詳細,請參見[資料下載]頁面,膜林晶控儀的相對優(yōu)點一篇。

    問:晶控的基本原理是什么

    石英晶體存在壓電效應(yīng)及逆壓電效應(yīng)*,晶振片外接交流電源時,將產(chǎn)生受迫振動,當外接交流電源頻率接近晶振片振動本征頻率時,晶振片將達到諧振狀態(tài)。對于AT切割石英晶體片來說,其主振蕩方式為所謂的厚度剪切模式,即形變?yōu)闄M向,而波動的傳播方向為沿著厚度方向。晶振片的這種機械振蕩屬于聲學波范疇,所以我們的材料中會有聲阻抗(率)這一參數(shù)。

    鍍膜時,材料沉積到樣品(鍍膜產(chǎn)品)表面的同時,也沉積到晶振片表面,引起晶振片的諧振頻率發(fā)生變化(下降)。晶控儀監(jiān)測晶振片的諧振頻率,根據(jù)預設(shè)材料參數(shù),計算出材料的沉積速率和厚度。在一定的頻率變化范圍內(nèi),材料的沉積厚度與頻率變化呈線性關(guān)系,這一特點使得晶控非常適合于控制速率。

    *當電介質(zhì)沿一定方向上受到外力的作用而變形時,其內(nèi)部會產(chǎn)生極化現(xiàn)象,同時在它的兩個相對表面上出現(xiàn)正負相反的電荷。當外力去掉后,它又會恢復到不帶電的狀態(tài)。當作用力的方向改變時,電荷的極性也隨之改變。這種現(xiàn)象稱為正壓電效應(yīng)。相反,當在電介質(zhì)的極化方向上施加電場,這些電介質(zhì)也會發(fā)生變形,電場去掉后,電介質(zhì)的變形隨之消失,這種現(xiàn)象稱為逆壓電效應(yīng)。

    問:真空鍍膜中晶控系統(tǒng)由哪些部件組成?
  • 頻率測量部分:晶振片、夾持晶振片并提供水冷的晶振探頭、讓晶振片起振的振蕩包及檢測振蕩頻率的晶控儀。
  • 控制執(zhí)行部分:坩堝、擋板、蒸發(fā)源等。受晶控儀控制,完成具體動作,屬于晶控系統(tǒng)的延伸。
  • 問:MXC晶控儀包含哪些部件?
    MXC主機、電源線、振蕩包、主機至振蕩包之間的電纜、振蕩包至探頭的雙頭BNC電纜。
    問:如何安裝膜林晶控儀

    膜林晶控儀說明書里有儀器的尺寸和安裝孔位置說明。探頭安裝請參考探頭說明。 圍繞膜林晶控儀的功能,大致分為幾個方面

    1. 探測頻率(監(jiān)測速率),從晶控儀的Sensor端口連接電纜至振蕩包,振蕩包后端用短同軸電纜連接探頭

    2. 控制速率,膜林晶控儀有3個BNC模擬電壓輸出端,用同軸電纜連接至蒸發(fā)源控制器(如阻蒸的功率調(diào)整器)的控制輸入端。

    3. 控制厚度,外接擋板控制。膜林晶控儀提供3個隨蒸發(fā)源定義的擋板繼電器,外加一個公共繼電器,可靈活分配。在材料參數(shù)里還提供了一個特殊的繼電器脈沖輸出,模仿按下回彈按鈕,用于改造某少數(shù)進口鍍膜機的擋板控制

    4. 轉(zhuǎn)動坩堝,自動定位坩堝位置略復雜些,請參考說明書(與擋板一樣,從后面的IO端口接線)。此處提醒一句,配置參數(shù)設(shè)置后,可在探頭與接口界面,直接測試坩堝轉(zhuǎn)動,繼電器輸出等。

    5. 材料相關(guān)的充氣(氧)繼電器等,也請參考說明書

    問:工藝人員快速上手膜林晶控儀

    1.膜林晶控儀將很多成膜參數(shù)放在"材料"里,優(yōu)點是膜系簡單,每層膜只需材料庫號、沉積厚度(kA)和坩堝號,這三個參數(shù)。而且隔層拷貝添加,非常方便。MXC-3B還提供計算機下載膜系工件軟件,極大減少膜系的輸入勞動。

    2.材料里的硬件相關(guān)參數(shù),如源、坩堝、擋板等,安裝好后不用動。工藝人員應(yīng)關(guān)注的是成膜參數(shù),如密度、聲阻抗率、比例系數(shù)和預熔階段等。

    問:成膜操作人員快速上手膜林晶控儀

    1.在<運行參數(shù)>里找到待沉積的膜系,選擇起始層(默認1),回到<沉積>頁面,"開始"即可。MXC-3B,還可以在膜系列表里選擇好膜系后,點擊"沉積",再回到<沉積>頁面,從第1層開始。

    問:什么是聲阻抗率

  • 在MXC晶控儀中,材料的聲阻抗率定義為 Zratio = Zx / Zm , 式中Zx為石英晶體的聲阻抗,Zm是材料的聲阻抗。聲阻抗率越小,其聲阻抗值越大,單位密度材料的聲速越大,可看做是對聲速的阻礙程度。
  • 注意,有的晶控儀使用聲阻抗,在MXC系列晶控儀中,一律使用聲阻抗率。
  • 問:什么是單層膜厚度算法?
  • 在目前市面上常見的晶控儀中,其厚度算法多數(shù)使用的是單層算法。即將石英基片與材料層看成一個聲學共振體,得出材料層的厚度與頻率之間關(guān)系。
  • 通常,可見近紅外鍍膜中,6MHz新晶振片在用到5.8MHz之前(常見氧化物材料,其總厚度約10um),這種計算方法理論上的厚度偏差并不很大。
  • MXC中,開機未設(shè)定或設(shè)定不正確的情況下,仍沿用單層算法。
  • 問:什么是MXC多層膜厚度算法?
  • 在添加一個新層的情況下,要得出晶振片與所有層的共振頻率(或計算厚度)會復雜很多倍。有文獻給出過晶片附加2個膜層后的共振頻率算式,過程已然復雜不堪,若沿用它的方法計算多層膜厚,將隨著膜層的增加而迅速暈倒。
  • 本公司研究人員通過多年努力,找到了快速而準確的計算方法,此方法假定膜層的聲阻抗及密度已知(用戶在材料參數(shù)中設(shè)定),已鍍膜層厚度也已知(成膜過程中自動記錄)。
  • MXC多層膜厚度算法從原理上解決了多層膜厚度精確計算方法,并將其轉(zhuǎn)換成可在單片機上快速實現(xiàn)的算法,以滿足鍍膜的實時性需要。
  • 本厚度算法屬于厚度剪切聲學波在多層介質(zhì)中共振的快速計算方法,其具體計算原理暫不對外公開,也不申請專利。但對MXC用戶使用是開放的。
  • 問:什么是晶振片失效
  • 晶控儀檢測不到晶振片諧振頻率后,會認為晶振片失效。
  • 膜料沉積到晶振片表面形成膜層,聲學波也將傳播進膜層內(nèi),在界面處發(fā)生與光學波相似的反射與透射現(xiàn)象。如果聲波在傳播過程中,損耗比較大,例如遇到裂紋、空位等缺陷或聲吸收大的材料(如含油脂的手指印)、方向變化(形變),都可能會讓諧振的Q值降低。當這種損耗增大到一定程度,甚至會發(fā)生晶振失效。
    在上海膜林科技有限公司的XDM、MXC晶控儀中,晶振片阻力損耗值就是反應(yīng)這一損耗的特有參數(shù),可為探頭檢測、晶振片安裝、更換等提供參考,非常好用。

    在晶控儀中反應(yīng)出的晶振失效,還包含了晶振片失效以外故障,例如接觸不良或斷路、短路、主機或振蕩包損壞等。

    問:什么是晶振片的阻力損耗?
  • 我們知道,晶振片的振蕩總會存在損耗,反映在電學回路上,就是晶振片的電阻值(電阻耗能)。在MXC晶控儀中,以阻力損耗的形式表達晶振片回路的損耗狀態(tài)。
  • 晶振片與其安裝電纜是串接至振蕩包的,所以MXC中的阻力損耗值不僅與晶振片自身的損耗值有關(guān),還與安裝電纜的連接狀態(tài)有關(guān)。晶振片正常安裝的情況下,其接觸電阻小于1歐姆,所以MXC顯示的阻力損耗值基本上代表了晶振片自身的損耗。
  • MXC 中,以百分比的形式給出晶振片的損耗值,并稱之為阻力損耗。它是以晶振片回路斷路下作為基準100%;晶振片回路短路情況下,損耗值在10%附近或更低(在<探頭與接口>頁面看到,此時頻率顯示-4980000.000),當振蕩包未連接,其值在0%附近。
  • 問:阻力損耗值分顏色顯示?
  • MXC中按照阻力損耗的百分比值,分藍、綠、黃、紅四種顏色。目的是方便用戶更直觀的了解晶振片損耗情況。
  • 通常新晶振片安裝后,其顏色為綠色或黃色(數(shù)值偏小),抽真空后顏色為綠色或部分進入藍色。
  • 如果在安裝時就出現(xiàn)紅色,請一定要檢查晶振片自身及安裝是否正確。
  • 顏色按區(qū)間劃分不是絕對的,用戶可在<配置參數(shù)4>頁面內(nèi),對顏色區(qū)間進行設(shè)置。
  • 問:阻力損耗值為什么在抽放氣過程過程中會發(fā)生變化?
  • 阻力損耗值反應(yīng)的是晶振片的振蕩能量損耗。大氣或粗真空下,晶振片的振蕩會受到周圍的氣體分子摩擦而產(chǎn)生能量損耗;另外,晶振片表面吸附的雜質(zhì)也不滿足彈性連接,同樣存在能量損耗。
  • 抽真空時,不僅吸附氣體減少,晶振片的頻率變高,同時損耗值會降低。真空放氣過程相反。
  • 另外,在成膜過程中,晶振片的損耗值也是變化的。
  • 問:MXC中,什么是膜系?
  • 在MXC中,一系列的膜層構(gòu)成一個膜系。
  • 膜系的基本構(gòu)成元素是一系列膜層。膜層的構(gòu)成元素是該層材料及物理厚度。 在晶控儀中,還包含了材料所在的坩堝號。
  • 與光學薄膜中的膜系含義是對應(yīng)的。
  • 問:MXC中,一些硬件相關(guān)參數(shù)為什么也被包含在材料參數(shù)中,而沒有單獨列出來?
  • 這是MXC開發(fā)早期定下來的策略,目的是讓膜系概念與光學薄膜對應(yīng)。
  • MXC晶控儀內(nèi)整合了很多成膜工藝及流程概念,才使得操作十分簡單。
  • 問:晶控中,PID控制是怎么回事?
  • 晶控儀在探測到沉積速率后,與材料參數(shù)中目標沉積速率進行比對,并按照預定的控制方法調(diào)整蒸發(fā)源的輸出功率,以期達到自動穩(wěn)定沉積速率的目的。
  • 晶控儀為達到此目的,可以有許多種實現(xiàn)方法。在MXC晶控儀中,使用的是工業(yè)控制中最常用的PID控制方法。
  • 關(guān)于PID控制原理,書上、網(wǎng)上已有太多描述,此處不贅述了。
  • 問:影響速率穩(wěn)定性的因素有哪些?
  • 要從速率的形成、檢測、控制這幾個方面來看這個問題。
  • 從蒸發(fā)源來看,電子槍燈絲、焦斑、掃描、材料狀態(tài)(包括放氣、高低、挖坑、多少、熔融等)、電極的連接情況、坩堝的冷卻、離子源輔助情況等都有影響。這些因素不僅影響速率穩(wěn)定性,而且會影響蒸發(fā)功率的大小。
  • 速率檢測方面,晶振片的狀態(tài)(在MXC中可參考阻力損耗值)、電極連接狀態(tài)、晶振片附近是否有漏氣或放氣、真空度是否穩(wěn)定、探頭冷卻水是否通暢等。
  • 控制方面,要看材料的PID參數(shù)的合適程度。
  • 可見,即使同一臺機器,不同工藝及狀態(tài),要達到同樣的速率控制,PID參數(shù)也可能不一樣。幸運的是,PID參數(shù)的容差較大,即一般情況下,PID參數(shù)無需做很多調(diào)整,也能較好的對應(yīng)多個狀態(tài)。

  • 問:如何調(diào)整PID參數(shù)?
  • 判斷速率能否自動控制穩(wěn)定,有一個簡單的辦法:用固定功率蒸發(fā),如果此時速率能相對穩(wěn)定或緩慢變化,那么就可以自動調(diào)整穩(wěn)定;否則不可以。
  • 在上述影響速率穩(wěn)定性因素中,其他參數(shù)相對穩(wěn)定的情況下,PID參數(shù)是否設(shè)置合理,才最終決定能否實現(xiàn)快速穩(wěn)定可重復的速率控制。
  • PID調(diào)整
  • (a)速率過沖大,減小 P。若仍過沖,減小I,增強積分作用。
  • (b)偏差明顯,減小 I,增強積分作用。 )起動時間長,增大 P,減小I,增強積分作用。
  • (d) 振蕩,增大I,減弱積分作用。若仍振蕩,增大P。
  • 上述是一般規(guī)律。鑒于晶控初始階段的特殊性,起始速率過沖及起動時間長,預熔功率、擋板延遲、最大功率延遲、電子槍燈絲及坩堝等關(guān)系也比較大。
  • 問:為什么在擋板打開一定時間內(nèi)會出現(xiàn)負速率及負厚度?
  • 這是成膜工藝帶來的正,F(xiàn)象。擋板打開后,一方面,晶振片由于材料沉積而頻率下降,另一方面晶振片受到熱沖擊而頻率上升。而晶控儀只根據(jù)頻率變化來計算厚度及速率,所以如果此時頻率總體上升,晶控儀就會輸出負速率及負厚度。
  • 不同的工藝,坩堝材料狀態(tài),甚至新、舊燈絲,即使相同工藝也會每次現(xiàn)象都不重合,這都屬于正,F(xiàn)象,不需要進行特別處理。
  • 問:什么是控制延遲?
  • 成膜初始期間,晶控儀在打開蒸發(fā)源擋板后,將其功率保持在最后一個預熔階段功率不變,直到一定延遲時間后才去自動控制蒸發(fā)源功率。這個延遲時間就是所謂的控制延遲時間。
  • 在蒸發(fā)源擋板剛打開時,晶振片由于受到熱沖擊而產(chǎn)生異常頻率變化(不是厚度帶來的),此時晶控儀根據(jù)頻率計算出來的厚度及速率不是真實值。所以晶控儀不宜馬上自動調(diào)節(jié)功率,而是延遲一定時間后再去自動控制。
  • MXC晶控儀在材料參數(shù)中設(shè)置控制延遲時間。
  • 問:什么是擋板延遲?
  • 有些晶控系統(tǒng)中,晶控的探頭不受蒸發(fā)源擋板的遮擋。在擋板打開之前,晶控儀就能測量到沉積速率。這些系統(tǒng)中,需要在擋板打開時就已經(jīng)建立起穩(wěn)定的沉積速率。擋板延遲時間就是預熔階段結(jié)束到擋板打開前,建立起沉積速率的最大等待時間!
  • 擋板延遲功能的優(yōu)點是,擋板開時就已經(jīng)建立穩(wěn)定速率。缺點也很明顯,探頭的位置與產(chǎn)品的位置差異大。
  • 目前,MXC不支持擋板延遲功能。若要實現(xiàn)同樣效果(擋板開始已經(jīng)建立速率),可使用兩臺MXC晶控儀協(xié)作。
  • 另外,有的晶控儀二者都支持,也有晶控儀只支持擋板延遲。
  • 問:什么是MXC最大功率延遲時間?
  • 最大功率延遲時間是指:擋板打開后,允許輸出的最大功率從保持功率線性上升至材料中設(shè)定的最大功率所需要的時間。
  • 這個功能設(shè)置是MXC所特有的,目的防止成膜初始階段的功率,不至于因為速率的不真實而有過大的輸出。
  • 與保持功率、控制延遲時間等參數(shù)一起,合理的設(shè)置會使得速率上升得又快又平穩(wěn),不至于有大的過沖。
  • 問:什么是MXC晶控儀中材料的補償厚度?
  • 晶振片真實膜層厚度與晶控儀監(jiān)控過程所記錄下的膜層厚度(不包含比例系數(shù))之間存在著厚度偏差。
  • 在上海兆九光電技術(shù)有限公司的無私協(xié)助下,雙方共同發(fā)現(xiàn),這個厚度偏差對特定材料及工藝是相對可重復的,即可定量化的。并立即進行了成膜試驗,結(jié)果與預期符合得相當好。
  • 這個結(jié)果對薄層的厚度控制很有意義,在此再次對上海兆九光電技術(shù)有限公司為中國光學薄膜及相關(guān)產(chǎn)業(yè)的進步所做的無私貢獻表示致敬!
  • MXC晶控儀中,開通補償厚度功能是要額外收費的。此補償厚度放置在材料參數(shù)中,在成膜過程中由晶控儀自動扣除。此版本中,也給出了厚度定量化的工具。
  • 問:什么是比例系數(shù)(因子)?
  • 晶控儀監(jiān)測的是探頭位置晶振片表面的沉積膜層厚度,與用戶的產(chǎn)品(樣品)表面沉積膜層厚度通常并不相等,二者之間存在一個比值關(guān)系,用比例因子(比例系數(shù))來表達。比例系數(shù)定義為樣品片的膜層厚度除以監(jiān)控片的膜層厚度,它是光學薄膜中比較正式也比較容易理解的叫法。一些鍍膜人說的工具因子是從英文的Tooling factor中直譯過來的。二者的含義是一樣的。
  • 在晶控中,監(jiān)控片指的就是晶振片;而樣品片是用戶的產(chǎn)品片。
  • 晶控儀界面設(shè)定及顯示的厚度,等于晶振片測量的厚度乘以比例系數(shù)。如果比例系數(shù)正確的話,那么顯示厚度就是用戶的產(chǎn)品厚度了。
  • 附:真空鍍膜是一個復雜的材料轉(zhuǎn)運轉(zhuǎn)換過程,長期的工藝穩(wěn)定性,很大程度上體現(xiàn)在盡量維持比例因子的穩(wěn)定性。
  • 問:為什么把比例系數(shù)調(diào)大一點,產(chǎn)品的厚度會變薄(波長變短)?
  • 調(diào)節(jié)比例系數(shù)后,產(chǎn)品到底是變厚還是變薄,的確是個繞人的問題,容易混淆。
  • 這里暗含一個假定,那就是在調(diào)節(jié)比例系數(shù)前后,產(chǎn)品上的膜層厚度與晶振片上的膜層厚度之間的真實比例是不變的。
  • 晶控儀界面設(shè)定及顯示的厚度,等于晶振片的膜層厚度乘以比例系數(shù)?梢姡斣O(shè)定厚度不變,比例系數(shù)與晶振片膜層厚度成反比。所以,當將比例系數(shù)調(diào)大時,晶振片的膜層厚度將變薄,根據(jù)前面暗含假定,產(chǎn)品的厚度會隨之變薄,反之亦然。
  • 問:什么是使用晶振片原始速率控制?
  • 晶控儀顯示的速率,通常是包含了比例系數(shù)在內(nèi)的。改變比例系數(shù),盡管顯示速率不變,但晶振片控制的實際速率已經(jīng)被同時改變。
  • 實際速率改變會帶來一系列問題,比如膜厚分布。
  • 所以,MXC在配置參數(shù)中提供了這樣一個選項,當用戶選擇后,MXC晶控儀實際控制速率就是材料中的目標速率,不再與比例系數(shù)相關(guān),以保證工藝的重復性。
  • 問:什么是時間功率?
  • MXC晶控儀中,時間功率選項出現(xiàn)在膜系首頁中的。它的含義是在成膜過程中,當出現(xiàn)晶振失效時,晶控儀將按照前10秒的平均功率繼續(xù)成膜,并以設(shè)定速率累計厚度,直至該層厚度完成。
  • 目前,不建議選擇時間功率,因為在晶振失效期間,晶控儀實際是在瞎鍍,盡管其策略看上去還是那么回事。
  • 有些情況下,晶振失效是短暫的且可恢復的(受到某種異常沖擊)。選擇立即停止,給用戶一個修正的機會。
  • 問:怎樣配合光控控制厚度?
  •    晶控在達到設(shè)定厚度時才會自動關(guān)停。所以,只需要膜層設(shè)定厚度遠大于正常膜厚即可,讓晶控永遠達不到,騙騙它;光控厚度到達時,發(fā)送停止命令即可停止晶控儀成膜進程。
  • 問:怎樣發(fā)送停止命令?
  •   方法1:晶控界面按<暫停>按鈕
  •   方法2:通過連接IO口的輸入端,發(fā)送<停止命令>信號
  •   方法3:通過串口RS232發(fā)送停止命令
  • 問:MXC-3B怎樣外接按鈕開關(guān)來命令晶控儀停止成膜?
  •   步驟1:在<配置參數(shù)>下的<輸入端口及源配置>頁面任意配置一個輸入功能(例如功能號2)為<停止命令>,命令響應(yīng)方式為<下降沿>
  •   步驟2:將輸入端口號2對應(yīng)的IO1的第17腳用導線連接到外界按鈕開關(guān)的一端;同樣,連接IO1的第24腳至外界按鈕開關(guān)的另一端
  • 補充說明:將外接按鈕開關(guān)兩端分別接IO2的第31腳及第12、13、14、15、16、17、18、19中任意一腳,可實現(xiàn)同樣功能。
  • 補充說明:將命令響應(yīng)方式設(shè)定為<下降沿>,在按鈕按下的瞬間響應(yīng)命令。若設(shè)定為<上升沿>,則按鈕按下后彈起瞬間才響應(yīng)命令。
  • 問:XDM-3K的輸入輸出端口IO1與IO2是什么關(guān)系?
  •   XDM-3K晶控儀的背面,有IO1與IO2兩個D型接口,分別為25針公座和37針公座。IO1包含了輸入功能號1到8以及輸出功能號1到8。
  •   IO2則包含了輸入功能號1到8以及輸出功能號1到10。IO2比IO1多了輸出9和輸出10,其余輸入輸出二者是并聯(lián)關(guān)系。功能號對應(yīng)的管腳號在輸入輸出配置頁面都有提示。
  • 問:怎么手工控制功率,晶控儀只用于看速率?
  •   1.材料蒸發(fā)源功率控制不外接,或者設(shè)定到用不到的蒸發(fā)源端口去
  •   2.外部支持手自動切換時,蒸發(fā)源相當于沒接;
  •   3.如果仍用晶控儀控制功率,可以將材料設(shè)為定功率方式。手動在[沉積]頁面點擊功率輸出處,更改當前功率;蛲饨有D(zhuǎn)編碼器的兩端子分別接至<功率增加><功率減少>兩個輸入功能,此種方式下,旋轉(zhuǎn)編碼器將以0.1%的步進值增加或減少輸出功率。如再將輸入功能<定功率/自動>接出至按鈕(如旋轉(zhuǎn)編碼器),則可以通過該按鈕切換控制模式,看看手工與MXC到底誰控得更穩(wěn)。
  • 基本操作:

    問:如何清除<操作>頁面中圖形區(qū)曲線
  •    點擊圖形區(qū)中間部位即時清除界面
  •    配置參數(shù)中,勾選[開始時清除],將在成膜開始后自動清除一次。
  • 問:如何在成膜過程中臨時更改當前層設(shè)定厚度?
  •    在成膜過程中,點擊<操作>頁面左下角<設(shè)計速率:設(shè)計厚度>區(qū)域,即可臨時修改當前層厚度。
  • 問:如何在成膜過程中快速修改最大功率?
  •    在成膜過程中,點擊<操作>頁面右下角偏左處的<當前功率>區(qū)域,即可臨時修改最大功率。
  • 問:如何解讀<操作>頁面內(nèi)圖形區(qū)正下方的當前信息?
  •    MXC-3B晶控儀,界面有稍暗的字體對后續(xù)信息解釋,看界面。
  •    MXC-3或MXC-3K, 例:Nb2O5-1 2/5 c130918-1 1/2
  •    Nb2O5-1 : 材料名
  •    2/5 : 共5層,當前是第2層
  •    c130918-1: 膜系名
  •    1/2 : 蒸發(fā)源2坩堝1
  • 問:如何修改材料庫1的材料參數(shù)?
  •    通過<菜單>進入<材料>頁面
  •    選擇材料庫1,(源)
  •    點擊<查看>,(將材料1調(diào)入顯示內(nèi)存)
  •    按頁修改參數(shù),共4頁
  •    點擊<保存>,并<確認>保存
  • 問:如何拷貝材料庫1到材料庫2中?
  •    通過<菜單>進入<材料>頁面
  •    選擇材料庫1,(源)
  •    點擊<查看>,(將材料1調(diào)入顯示內(nèi)存)
  •    選擇材料庫2,(目的)
  •    點擊<保存>,并<確認>保存
  • 問:如何在成膜過程中材料速率及更改PID參數(shù)?
  •    在成膜過程中修改材料參數(shù),與修改材料庫參數(shù)的過程一樣。
  •    需留意的是,務(wù)必正確選擇當前層所用的材料庫號。
  • 問:如何輸入一個膜系?
  •    在MXC中,膜系由一系列膜層組成。膜層只有層厚度與膜系庫號兩個參數(shù),膜系庫號后顯示的膜系名稱是便于用戶確認的。
  •    MXC-3與XDM-3K提供20個膜系庫空間。用戶不能新建膜系,也不能刪除膜系,只能將膜系輸入進這20個膜系庫空間中的一個。
  •    所以,輸入一個膜系的操作與前述修改膜系參數(shù)是一樣的含義。
  • 問:如何修改膜系1參數(shù)?
  •    通過<菜單>進入<膜系>頁面
  •    選擇膜系1
  •    點擊<查看>,(將膜系1調(diào)入內(nèi)存)
  •    修改膜系首頁參數(shù),如膜系名稱(成膜時,運行膜系的名稱將顯示在<操作>頁面>)
  •    點擊<查看及編輯膜層>,進入<膜層>頁面
  •    如在末尾增加層,點擊<在末尾添加>層,并修改層厚度及層材料
  •    如刪除某層,在點擊該層所在行,當該行被選中后,行首將出現(xiàn)’勾號’選擇符。點擊<刪除>
  •    如在某層前插入一層,則首先選擇該層,然后點擊<在之前插入>
  •    <退出>至膜系首頁
  •    <保存>并<確認>
  • 問:如何拷貝膜系1到膜系2中?
  •    通過<菜單>進入<膜系>頁面
  •    選擇膜系庫1,(源)
  •    點擊<查看>,(將膜系1調(diào)入顯示內(nèi)存)
  •    選擇膜系庫2,(目的)
  •    點擊<保存>,并<確認>保存
  • 問:如何查看膜系1參數(shù)?
  •    通過<菜單>進入<膜系>頁面
  •    選擇膜系1
  •    點擊<查看>,(將膜系1調(diào)入內(nèi)存)
  •    點擊<查看及編輯膜層>,進入<膜層>頁面查看
  • 問:如何指定從膜系1的第1層開始運行?
  •    通過<菜單>進入<運行參數(shù)>頁面
  •    如當前<開始膜系>號不是1,則選擇膜系庫號至 1,此時下方<開始膜層>將自動變?yōu)槠鹗紝?,<起始厚度>自動清0。
  •    如當前<開始膜系>號是1,則選擇<開始膜層>至1
  •    注意:MXC晶控儀開機時,將自動調(diào)用成膜記錄中的最后一層作為當前<開始膜系>與<開始膜層>。
  • 問:<運行參數(shù)>與<配置參數(shù)>有什么區(qū)別?
  •    <配置參數(shù)>包含的是一些設(shè)置及硬件配置等參數(shù),可保存在MXC中,供以后再次開機使用。有密碼保護(如設(shè)定包含密碼),平常鍍膜時不應(yīng)改動。
  •    <運行參數(shù)>是對當前運行狀態(tài)進行設(shè)置,如指定<開始膜系>及<開始膜層>等,運行參數(shù)修改后,僅在未關(guān)機狀態(tài)下有效,不保存。唯一例外的是,<成膜記錄數(shù)據(jù)>選擇項的改變,雖然對當前期有效,但要供再開機使用,則需要在<配置參數(shù)>中保存的。
  • 問:在<運行參數(shù)>中,<開始膜層>下方的<起始厚度>有什么用處?
  •    指定當前<開始膜層>已鍍厚度。
  •    MXC成膜時,將從設(shè)計膜厚中減去指定已鍍厚度。
  • 問:在成膜過程中突然停電,電力恢復后如何繼續(xù)成膜?
  •    用戶僅需點擊<繼續(xù)>即可。
  •    在成膜過程中停電,MXC自動在掉電前將當前層已鍍信息記錄進成膜記錄中。
  •    恢復上電后,MXC晶控儀將自動調(diào)用掉電前膜系及膜層信息,已鍍厚度也自動載入<起始厚度>,并將首頁的<開始>/<繼續(xù)>按鈕位置顯示為<繼續(xù)>狀態(tài),
  • 問:<運行參數(shù)>頁面中的<測試模式>有什么用?
  •    <測試模式>是保留給硬件參數(shù)調(diào)試用的。
  •    勾選<測試模式>,MXC進入測試模式狀態(tài)(<操作>頁面上方將顯示<測試模式>標識)。在此測試模式下成膜,MXC的蒸發(fā)源將不輸出功率,而其他輸入輸出動作如驅(qū)動坩堝、擋板等保持正常。
  •    MXC開機時,測試模式是默認不選擇的。
  • 問:如何查看成膜記錄?
  •    通過<菜單>進入<運行參數(shù)>界面
  •    點擊”成膜記錄數(shù)據(jù)”右側(cè)的<查看>按鈕
  •    注意: 勾選”成膜記錄數(shù)據(jù)”后,MXC才自動在停止時刻記錄成膜數(shù)據(jù)。
  • 問:如何解讀成膜記錄?
  •    MXC按層完成的順序逐條記錄成膜數(shù)據(jù)。
  •    例: 0012 130301164336 07:09 5935998.5 38.5% 03:21 1.201
  •    0012: MXC內(nèi)部循環(huán)記錄序號
  •    130301164336: 層開始時刻,2013年03月01日16時43分36秒
  •    07:09 : 層經(jīng)歷時長,07分09秒
  •    5935998.5 : 層開始時刻頻率 5935998.5 Hz
  •    38.5% : 停止時刻阻力損耗值為 38.5%
  •    03:21 : 膜系3第21層
  •    1.201 : 層已鍍厚度1.201千埃
  • 探頭檢測

     

    2014.07.14下午,我和上海wj的朋友z從上海松江一起去嘉興王店,幫一個朋友w生檢查晶控: x10檢測不出頻率
    1. 先是用一個我們的模擬晶控探頭接到x10的振蕩包上,有頻率顯示,說明x10和它的振蕩包是沒有問題的。
    2. 拿我們的 MXC-3K 晶控儀一檢查,也沒有頻率。
    通過觀察阻力損耗值(頻率未鎖定,損耗值100%附近),可以斷定探頭回路斷路。具體什么位置還要檢查。
    還好,晶控儀的阻力損耗還可以用于檢查短路。
    3. 松開裝晶振片的探頭(Holder)前端的射頻連接線,用金屬鑷子搭住連接線接頭的內(nèi)芯與外殼,晶控儀阻力損耗值顯示短路狀態(tài)(頻率未鎖定,損耗值10%附近)。
    說明晶振片Holder以前都沒有問題,問題應(yīng)出在內(nèi)部。把射頻線連回去。
    4. 要來酒精與擦拭布,把晶振片Holder內(nèi)部清潔一下,裝入晶振片,MXC-3K顯示頻率,損耗值進入正常范圍,綠色。
    5. 再接 x10,同樣OK.

    小結(jié):
    1. 問題還是出在對探頭的保養(yǎng)上,只要用戶稍加注意。
    事實上,還是有很多用戶不太明白,以為把晶振片換進口的就應(yīng)該好了。
    2. 可直接用鑷子導通探頭彈片爪子和外壁,看是否有短路狀態(tài),倒著朝上推。
    3. 沒有MXC-3K的朋友,可通過互換等辦法來判斷問題所在。
    MXC-3K的此處的優(yōu)點在于,它可在線檢測晶振片阻力損耗值(包含了電子回路的阻抗),并對損耗值范圍加以顏色區(qū)分。

    后記:
    1. 因為曾見過探頭內(nèi)部焊點脫落,射頻導線似連似斷,同時也因為這臺機的探頭拆卸方便,所以中途是讓w生把探頭從機器上拆下來檢查的。
    2. 中間曾把晶振片重裝一次,用MXC-3K檢測,有頻率,但損耗值非常大,90%多,紅的。這也表明是回路接觸電阻過大,間或斷路。
    此時,在x10上應(yīng)該也能檢測出頻率,看上去正常,但這樣子鍍膜,后果是嚴重的,速率跳動會很大,厚度不準確。
    w生后來說,這次,他們裝上去時還有頻率顯示,但真空一抽就沒有了。他們之前就發(fā)生過速率不穩(wěn)定,壽命值異常,這次直接沒頻率。
    3. 說起來啰嗦一大堆,其實做起來也就十來分鐘,還包含出去借大扳手的幾分鐘。

     

    某MXC-3B廠商用戶電話反應(yīng),晶振失效,損耗值在0.幾。第一反應(yīng)是探頭短路,讓其斷開振蕩包與探頭之間的小電纜,故障依然。再請其將MXC-3B主機與振蕩包之間的電纜重新插接一次。 后電話回饋,螺絲沒有固定,電纜松動。改正后OK。 (損耗值異常低的情況下,內(nèi)部模擬探頭的檢測能力也將失效,因為如果是探頭短路,它也會被短路,所以先讓用戶斷開探頭連接測試。)

     

    2016.04.20上午,再次和wj朋友z去s州朋友客戶處幫忙檢測晶控:x10經(jīng)常出現(xiàn)大的正負速率(幾十A/S),不鍍膜時也會有。 1. 先檢查探頭,斷開x10振蕩包,將我們的MXC-3B晶控儀接入探頭。顏色顯示綠色,說明探頭內(nèi)晶振片損耗狀況良好。探頭沒有問題! 2. 由1可判斷出問題出在探頭以前,就是x10系統(tǒng)。隔壁機器正好也是x10,還不在鍍膜。借來振蕩包,換上,OK。

    近日,只帶一個萬用表,去xx地幫用戶檢測,癥狀同樣是x10檢測不出頻率。用模擬探頭接上,x10雖有頻率顯示,但頻率跳動很大,且明顯偏離標稱值,初步判斷晶控儀側(cè)有問題。因常見x10振蕩包問題,就取下振蕩包去其他機臺測試,果然在其它機臺上也不能檢測出頻率。從另一臺機器上拆了一個振蕩包過來,用模擬探頭頻率顯示正常,但接上探頭還是沒有頻率! 再開始探頭電路通斷檢測。經(jīng)過一番折騰,發(fā)現(xiàn)問題出在FeedThrough內(nèi)部,中心上下不通,問題搞大了,這玩意是密封在內(nèi)部的,無法維修,只能更換。這種早期進口的探頭FeedThrough,存在設(shè)計上的bug。再經(jīng)幾天折騰,更換成某的探頭,頻率OK,效果觀察中。

        再后記,這種探頭,運氣好的,可以試著修。但本次運氣欠佳,內(nèi)部銹結(jié),斷了。

        晶控儀新增的頻率自檢功能,省去了爬上去接模擬探頭的步驟。但如果真的是短路現(xiàn)象,那還是需要拔掉振蕩包至探頭法蘭之間接線的來確診的。

     

    歡迎指出不當之處和建議,不止是幫助我們進步,也會幫助到其他用戶。

    MXC晶控問答下載:<問答.pdf>





    滬ICP備2021005855號-1